此前有调研机构统计指出，中国消耗了全球55%的半导体芯片，而中国目前的芯片自给率不足20％，也就是高达80％芯片仰赖进口。

因此在中共“十三五”规划中，纳入了自主研发存储芯片。目前在三地被大力扶持的存储大厂及其分工是：武汉长江存储发展NAND Flash，合肥长鑫专注移动式记忆体，以及福建晋华致力于DRAM专案──这也是这些项目中更为困难且复杂敏感的。

现在透过美国制裁与起诉，外界知道福建晋华DRAM厂不是花时间、下真功夫去研发，而是辗转透过台湾联电二手窃取美光专利。在美国加州圣荷西联邦法院11月1日发布的起诉书中，晋华跟联电被指控3项罪名，分别是共谋经济间谍罪、接收被盗商业机密罪，以及共谋窃取商业机密罪。

众所周知，目前全球有能力生产 DRAM 的供应商只剩下三星电子、SK海力士（SK Hynix）、美光三家。因此可想而知，美光等三家大厂是如何将 DRAM技术列入保护的最高等级的。

从美国司法部长塞辛斯11月1日亲自针对晋华案召开记者会的情况，也可以看出福建晋华案的事态严重。

不仅如此，美国司法部还同时提起了民事和刑事诉讼。据美国司法部表示，福建晋华跟联电窃取商业机密可能面临超过200亿美元的罚款。公开资料显示，福建晋华兴建厂房投资57亿美元，而联电11月2日市值约48.41亿美元，也就是美国司法部祭出的罚款超过晋华投资额和联电市值的总和，对这两家公司的杀伤力可说非常之大。

再加上美国禁售令在10月30日生效当天，美国三大半导体设备供应商全面撤出福建晋华的12吋厂，与此同时，福建晋华的技术开发方全部叫停DRAM计划，即福建晋华缺少了美国的设备、材料，生产马上面临巨幅萎缩。

半导体研究机构VLSI Research半导体产业专家普哈卡（Risto Puhakka）曾指出：“没有美国设备商，你无法建造一座工厂（半导体制造厂）”。而美国业界之所以会有今天这样的实力，不是横空出世，而是过去花了20 几年时间，投入了无数人力心血和资金的努力研发。

中共“十三五”规划发展存储产业，只有野心，没有科研精神，不是真正下功夫迎头赶上，是藉由仅成立2年的三家公司，就想尽快在全球存储市场取得一席之地，甚至改写全球存储产业版图。虽然中共占领市场的野心受到美国制裁而重创，但付出代价的却是中国DRAM产业的停滞不前。