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中国EUV光刻机研发遇阻 高端芯片生产陷入困境

发布时间: 2025-05-27 10:19:04    最后更新: 2026-10-05 09:48:08    阅读:147  约2 分钟阅读     

【中国观察北京时间2025年05月27日讯】央视近期删除了关于华为5纳米芯片的报道,引发关注。在美方制裁背景下,华为无法获取EUV光刻机生产7纳米以下芯片。业内人士透露,EUV光刻机研发难度极高,中国至少十年内难以实现高端芯片量产。

5月24日,央视曾报道华为鸿蒙电脑搭载5纳米芯片"麒麟X90",显示突破制裁迹象,但报道随后被删除。中国芯片大厂产品经理易先生指出,国内最先进制程仍无法实现,中芯国际7纳米产能仅能满足华为需求,良率徘徊在五成左右,5纳米良率更是极低。其他芯片厂商普遍停留在12纳米或14纳米水平。

美国禁止ASML向中国出口EUV光刻机,导致中国无法生产7纳米以下芯片。2021年中芯国际曾用DUV光刻机多重曝光实现7纳米芯片。中国微电子博士陈尧透露,国内高校联合研发的EUV光刻机至少需十年才能问世,其中光部分需5年,高精度研磨板和精密机器需3-5年,商用阶段还需2-3年。

深圳市国资委投资的芯片设备厂商新凯来三月底公布研发出300毫米晶圆28纳米浸润式光刻机。华为前工程师王耀透露,国企贪腐问题导致他当年未加入新凯来。他指出,制裁已让华为放弃所有幻想,2020年新凯来成立时曾由华为内部调人,国家承诺8年合同保障研发。

美国去年底将140家中国公司列入贸易黑名单,今年3月新增54家,4月又禁止英伟达出售AI芯片H20。王耀表示,半导体企业必须考虑制裁风险,其现任职公司亦在制裁名单,芯片库存即将耗尽,计算中心建设面临严峻挑战。

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