
【中国观察北京时间2026年01月20日讯】全球正经历新一轮内存供应紧张局面,美国、韩国厂商持续加大资本投入力度。台湾内存大厂南亚科宣布2026年资本支出将增至50,000万新台币,较去年增长2.7倍,预计供应短缺状况将延续至2027年。
科技巨头持续扩建超大规模AI数据中心,华尔街机构研判内存芯片进入超级周期。麦格理报告指出,2026年全球DRAM市场规模将达3,110亿美元,较2023年增长近六倍。南亚科总经理李培瑛表示,AI需求激增导致供给增长受限,HBM内存所需产能较普通DRAM高出两至三倍。
当前内存供应短缺预计持续至2027年,科技企业展开产能争夺战。美光2026年资本支出达135亿美元,同比增加23%;SK海力士支出增至205亿美元,年增17%。南亚科规划2028年上半年新厂投产,月产能达2万片。
李培瑛透露,客户普遍希望建立安全库存以避免重复下单问题。南亚科主攻DDR4及低功耗DDR4产品,DDR5出货占比约10%。针对川普政府可能对半导体出口征税100%的政策,公司正研拟应对方案。
南亚科去年第四季毛利率达49%,季增30.5%,单季获利超110亿元。全年EPS达2.13元,整体市场展望积极。