【中国观察北京时间2026年10月04日讯】美国华盛顿智库“技术与治国方略中心”（Center for Technology & Statecraft，CTS）近日发布报告称，截至2026年初，中国大陆晶圆厂已经拥有约343台浸没式深紫外线（DUV）光刻机，其中相当一部分来自荷兰ASML。报告认为，美国及其盟友近年来针对先进半导体制造设备实施的出口管制，虽然成功限制了中国获得极紫外线（EUV）光刻机，却留下了对DUV浸没式设备的政策缺口，使中国企业能够通过大量采购较旧一代设备，并利用多重曝光等技术继续推进先进制程芯片生产。
CTS的报告特别关注ASML的Twinscan NXT:1980i等DUV浸没式光刻系统。根据该机构的统计，343台设备中约270台属于NXT:1980i型号，另外还有更先进的NXT:2050i、NXT:2100i以及较早型号。报告估计，中国晶圆厂在2024年和2025年分别购买了约90台和89台NXT:1980i，相关采购金额超过130亿美元。由于ASML长期占据高端光刻设备市场的主导地位，这批设备成为中国扩大先进芯片制造能力的重要设备基础。
DUV和EUV的技术路线并不相同。EUV使用13.5纳米波长的极紫外光，可以通过单次曝光实现非常精细的图形，因此是目前先进逻辑芯片制造的重要设备。DUV的波长更长，但部分浸没式DUV设备可以通过多重曝光、刻蚀和重复图形转移等复杂工艺实现更小的线宽。也就是说，没有EUV并不意味着完全无法制造先进芯片，只是工艺更加复杂、成本更高、生产效率和良率也可能受到影响。
美国企业研究所（American Enterprise Institute，AEI）今年4月发布的一份研究也提出类似判断。该报告认为，中国已经拥有数百台DUV光刻设备，并正在利用这些设备制造接近先进制程水平的芯片。AEI估计，中国企业2024年购买的约90台DUV浸没式设备，就可能支撑数百万片先进制程晶圆的生产能力。该机构同时指出，使用DUV进行多重曝光的工艺效率明显低于EUV，因此设备数量增加并不意味着中国已经获得与台积电等领先晶圆厂相同的制造效率。
CTS因此认为，美国目前针对光刻设备的出口限制需要进一步调整。报告作者建议，对中国大陆实施覆盖所有浸没式DUV设备的全面出口禁令，同时限制相关设备的维修、零部件供应和技术服务。该报告的作者包括曾在美国商务部工业与安全局（Bureau of Industry and Security，BIS）担任高级政策顾问的Nicholas Brown，以及曾在美国国家安全委员会（National Security Council）负责技术与国家安全事务的Saif Khan，因此报告的政策建议与美国出口管制体系具有较强的专业背景关联。
这一建议的核心，并不是认为DUV设备本身已经等同于EUV，而是担心大量较成熟的DUV设备经过重新组合和多重曝光工艺后，仍然能够成为中国先进芯片生产的基础设施。如果中国能够在没有EUV的情况下依靠大量DUV设备持续扩大7纳米级甚至更先进芯片的产能，那么美国通过限制最尖端设备来延缓中国半导体发展的政策效果可能会被部分抵消。
目前美国及盟友的出口管制并非完全没有覆盖DUV。美国商务部过去已经针对部分半导体制造设备、软件和相关技术实施限制，荷兰政府也先后扩大了对先进DUV光刻设备的出口许可要求。问题在于，现有制度在很大程度上按照设备性能、具体型号以及最终用户进行管理，而不是简单禁止所有DUV设备进入中国。这就留下了一个政策争议：如果某一型号设备在正常条件下主要用于成熟制程，但经过复杂工艺又能够用于先进芯片制造，那么究竟应该按照设备原本的设计用途监管，还是按照它最终能够实现的制造能力监管。
这也是CTS所谓“漏洞”的核心所在。报告认为，如果出口管制只针对最先进设备，而没有充分考虑旧设备通过软件升级、工艺改造以及多重曝光实现先进制程的可能性，中国就可以在政策收紧之前大量采购设备，然后利用多年形成的设备库存继续扩大产能。AEI的研究同样指出，中国已经利用过去几年获得的大量DUV设备建立了一支规模庞大的设备队伍。
不过，报告中的343台也应理解为研究机构的估算，而不是中国政府或者ASML公布的官方库存数字。相关统计主要依据设备型号、公开交易资料以及晶圆厂信息进行推算，外部媒体也指出，这些具体数量无法完全通过ASML公开财务资料独立重建。因此，“中国已经囤积343台”更准确的表达应当是“CTS估计中国晶圆厂拥有343台”，而不能写成已经得到官方确认的精确数字。
这批设备真正产生的战略意义，还要看中国能否把“设备数量”转化为稳定的芯片产能。光刻机只是晶圆制造体系中的一个环节，先进芯片还需要高纯度材料、光刻胶、刻蚀、薄膜沉积、清洗、量测、缺陷检测以及先进封装等大量设备和工艺共同配合。尤其是采用DUV进行多重曝光时，工艺步骤增加会带来成本上升、周期延长和良率下降。因此，343台光刻机并不等于343台设备都能够直接用于大规模生产7纳米芯片。
但从美国政策制定者的角度来看，设备效率下降并不意味着风险可以忽略。如果大量DUV设备能够让中国逐渐建立规模化先进芯片制造能力，那么即使每一片芯片的生产成本高于使用EUV的竞争对手，中国仍然可能通过扩大设备数量和提高工艺水平来弥补效率差距。尤其是在人工智能芯片需求快速增长的情况下，制造数量本身就可能成为影响计算能力供应的重要因素。
因此，这份报告把美国半导体出口管制争论从“能不能让中国获得EUV”进一步推向了“如何限制DUV形成规模效应”。美国真正面对的政策难题，是如何在限制中国先进芯片制造能力与维持全球半导体产业正常供应之间寻找平衡。因为DUV设备不仅用于先进制程，也广泛用于成熟制程，而成熟芯片又涉及汽车、工业设备、通信设备和消费电子等庞大产业。全面禁止DUV出口，可能带来的影响远大于单纯限制EUV。
从目前公开资料来看，中国并没有获得能够取代ASML最先进EUV设备的成熟商业化国产替代品，因此“DUV设备大量增加”与“已经突破EUV技术”是两回事。真正发生变化的是，中国正在利用可以获得的设备、工艺和设备库存扩大先进芯片制造能力。美国此次围绕DUV提出的新一轮限制建议，实际上反映出一个越来越明显的现实：半导体技术竞争已经不再只是争夺最先进的一台机器，而是围绕设备库存、制造工艺、软件、零部件、维修能力和产能规模展开的长期竞争。
