图为2025年4月24日，在首尔举行的2025世界IT展上，一位参观者正在观看SK海力士高频宽记忆体（HBM）技术的模型。(JUNG YEON-JE/AFP via Getty Images)
【中国观察北京时间2025年08月11日讯】中国希望美国放宽高频宽记忆体（HBM）芯片出口管制，作为双方贸易协议的重要组成部分。以下通过美国有线电视新闻网（CNN）的梳理，解析HBM芯片的技术特性及其对中美科技竞争的影响。
HBM芯片的核心技术在于其多层堆叠结构，这种设计使其在数据存储容量和传输速度方面远超传统动态随机存取记忆体（DRAM）。该技术已成为人工智能、自动驾驶等高算力应用场景的基础设施，尤其在生成式AI领域不可或缺。
美国自2023年12月实施的最新出口限制，延续了此前两轮针对先进芯片技术的管控措施。此举旨在遏制中国获取关键军事科技，导致北京采取反制措施，限制锗、镓等半导体制造必需材料的出口。
专家分析指出，尽管中国在HBM生产领域仍落后于韩国SK海力士、三星及美国美光科技，但正加速布局自主技术。当前全球HBM市场由三星（40%）、海力士（50%）和美光（10%）主导，其中前两者合计占据95%份额。美光计划2025年前将市占率提升至25%。
HBM制造涉及精密的先进封装工艺，其芯片厚度仅相当于6根头发丝，需通过高精度钻孔实现电子导线连接。这种技术壁垒导致HBM单价是传统内存芯片的数倍，凸显其技术复杂性。