【中国观察北京时间2026年05月27日讯】在持续面临美国高阶芯片与光刻机封锁压力的背景下，中国科技企业华为近日在上海半导体论坛上提出所谓‘韬（τ）定律’理论，宣称通过‘逻辑折叠’技术可在2031年实现等效1.4奈米芯片性能。专家分析指出，华为当前主要依赖设计与封装技术弥补制程限制，而非真正突破物理制程瓶颈。
5月25日，华为半导体业务部总裁何庭波在论坛上阐述‘韬定律’发展路径，强调以‘时间缩微’替代传统‘几何缩微’，通过创新技术实现晶体管密度与系统性能突破。华为表示，预计2031年可设计出电晶体密度达1.3奈米水平的高阶芯片。
目前台积电已量产2奈米芯片，并计划2028年量产1.4纳米制程。台湾国防安全研究院副研究员谢沛学指出，华为实际采用的是将二维平面电路转为三维立体堆叠的技术，通过缩短芯片内部走线减少讯息延迟来提升运算速度。他形容这种技术类似将平房改造成高楼，但本质上是市场行销策略。
谢沛学分析，美国制裁导致中国先进制程受限于EUV设备瓶颈，华为在制程上难以与台积电、三星直接竞争，因此试图创造新指标争夺话语权。他指出，所谓‘绕开光刻机’并非完全不需要光刻机，而是减少对最先进EUV的依赖。但缺乏数据支撑下，华为是否真能达到1.4奈米水准，或真正绕开光刻机限制，仍面临功耗、散热、良率、成本等量产挑战。
谢沛学认为，此类方案可能适用于超级电脑等特定领域，但若用于手机等消费产品，仍难以与真正先进制程竞争。华为提出‘韬定律’也是对摩尔定律瓶颈的挑战，但谢沛学指出，全球半导体业早已投入3D封装与异质整合等‘后摩尔时代’技术，华为方案本质上仍属该路线。
台湾国防安全研究院研究员沈明室认为，理论创新不等于实务达标，华为此举更像战略性技术叙事。他指出，这些技术应按部就班发展，华为在无外界援助下难以独立实现1.4奈米制程，其本质是凸显中国半导体产业的深层焦虑。分析认为，‘韬定律’更像中国半导体在高阶光刻机受限下的生存策略，而非主动创新。