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三星前高管等十人涉向中国泄露芯片技术被起诉

发布时间: 2025-12-26 08:42:06    最后更新: 2026-08-21 10:55:50    阅读:151  约2 分钟阅读     

【中国观察北京时间2025年12月26日讯】韩国检方近日正式对十名嫌疑人提起诉讼,指控其涉嫌将三星10奈米级动态随机存取记忆体核心技术非法泄露给中共芯片制造商长鑫储存。调查显示,涉案人员在2016年至2023年间持续性地将三星全球领先的10纳米级动态随机存储器制程技术外泄至中国,对韩国半导体产业及国家安全造成重大损害。

首尔中央地方检察厅披露,核心人物A某曾担任三星电子研发要职,2016年长鑫存储成立后即被聘请为开发负责人,并主导招募三星核心工程师。时事评论员郑浩昌指出,长鑫存储作为国家队企业,此类多人有预谋的挖角行为已超越个人范畴,构成国家级犯罪。

案件还涉及B某涉嫌手抄核心制程配方带离公司,C某被指控通过供应链渠道非法获取SK海力士核心技术。检方评估三星损失约5万亿韩元,韩国半导体产业及经济影响达数十万亿韩元。

技术窃密已成多国国家安全议题,中共在其中扮演负面角色。美国时政评论员唐靖远分析,长鑫存储具有浓厚中共官方背景,其系统性渗透行为包括高薪挖角、派遣人员潜入三星及部署反侦查手段。分析认为,美国对华芯片封锁背景下,北京选择韩国作为突破口,暴露其惯用技术窃取与政治施压手段。

郑浩昌指出,中共对芯片被美国卡脖子十分恼火,但面对美国压力转而针对韩国等国家展开技术战,同时在欧洲安世半导体控制权争夺战中与北京持续拉锯。此次韩国存储芯片案虽属暗火级别,但已引发韩国政府公开谴责。

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